抛光技术发展史

抛光技术性，半导体材料硅片（衬底片）抛光沿用机械设备抛光、比如氧化镁、氧化锆陶瓷抛光等，可是获得的芯片表面损害是以及比较严重的。直至六十年代末，一种新的抛光技术性——化学机械设备抛光技术性替代了旧的方式 。CMP技术性结合了化学和机械设备抛光的优点：

单纯性的化学抛光，抛光速度较快，表面光滑度高，损害低，完美性好，但表面平面度和平面度差，抛光后表面一致性差；

单纯性的机械设备抛光表面一致性好，表面平面度高，但表面光滑度差，损害层深。

化学机械设备抛光能够得到比较极致的表面，又可以获得较高的抛光速度，获得的光滑度比其它方式高2个量级，是现在可以完成全局性平面化的唯一合理方式。根据机械加工制造基本原理、半导体器件水利学、物力资源化学多组分反映多相催化基础理论、表面水利学、半导体材料化学基础知识等，对硅单晶片化学机械设备抛光原理、动力学模型操纵过程和影响因素科学研究标出，化学机械设备抛光是一个错综复杂的多组分反映，它具有着2个动力学模型过程：

1）抛光最先使粘附在抛光布上的抛光液中的还原剂、金属催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面开展氧化还原反应的动力学模型过程。这也是化学反映的行为主体。

2）抛光表面生成物摆脱硅单晶表面，即解析过程使未反映的硅单晶再次外露出來的动力学模型过程。它是操纵抛光速度的另一个关键过程。单晶硅片的化学机械设备抛光过程是以化学反映为主导的机械设备抛光过程，要得到性价比高的抛光片，务必使抛光过程中的化学浸蚀功效与机械设备切削功效做到一种均衡。假如化学浸蚀功效超过机械设备抛光功效，则抛光片表面造成浸蚀坑、橘皮状波浪纹。假如机械设备切削功效超过化学浸蚀功效，则表面造成高损害层。